Энергетическое время удержания те в омически нагреваемой плазме может быть получено из уравнений энергетического ба- тто ТЛГ* О где Vz — напряжение на обходе и /р — ток в плазме. Угловые скобки (--^v означают здесь усреднение по объему. Энергетиче- Энергетическое время удержания дается выражением , A7.10) где, по определению полоидального бета, = (п/с(Те + Г|))у = 8п2а2(пк(Те + Т|))у Из A7.10) следует, что для скейлинга те нужны скейлинги Cq и Vz. Чтобы приложить к плазме в RFP напряжение обхода, необходимо разрезать оболочку проводника, окружающего плаз- плазму, в тороидальном направлении. В этом случае в уравнение A7.2) для магнитной спиральности должен быть добавлен вклад поверхностного интеграла: ^ = -2 f Е • Bdr - 1(фВ + Е х А) • ndS. Индуцированное электрическое поле в (проводящей) оболочке равно нулю; оно сосредоточено между краями разреза оболочки. Поверхностный интеграл содержит вклад 2VZ<&Z от разреза обо- оболочки и от остальной части поверхности S_, т. е. - l((/)B + ExA)-ndS1 A7.11) где Фг — усредненный по объему тороидальный магнитный по- поток Фг = 7ra2(Bz)Y. В квазистационарном состоянии временное усреднение (dK/dt)\ дает нуль.
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Удержание» з дисципліни «Основи фізики плазми і керованого синтезу»
