ДИПЛОМНІ КУРСОВІ РЕФЕРАТИ


ИЦ OSVITA-PLAZA

Реферати статті публікації

Пошук по сайту

 

Пошук по сайту

Головна » Реферати та статті » Фізика » Фізика твердого тіла

Влияние двух или большего числа типов центров
Следует рассмотреть различного рода осложнения, которые
возникают, когда вклад двух или нескольких видов примесных
центров в заселенность зоны проводимости свободными элек-
400
Гл. 4. Полупроводники

Iе!
£с
&
^
1
1
^
0

У \
ee-£a,
Температура —
Рис. 4.23. Схема зависимости /г0 и
8f от температуры для примесного
полупроводника п-типа, в котором
действуют два типа донорных
центров, из которых более мелкие
частично компенсированы.
тронами изменяется с изменением температуры. Итак,
предположим, что в полупроводнике /г-типа имеется Nd\ примесных
донорных состояний с энергией ионизации ed\ и N&2 совершенно
других донорных центров с несколько большей энергией связи
ed2. Как обычно, в нем присутствует некоторая концентрация
Na различных компенсирующих центров, и для полупроводника
я-типа мы требуем, чтобы Na было меньше, чем (Мц+Л^г)15.
Тогда распределение всех имеющихся электронов в тепловом
равновесии удовлетворяет равенству
п0 = Nc exp (eF/k0T) = Ndl[\-Pe (еЛ)] + Nd2 [ 1 - Ре (ел)] г- Na
(4.46)
при условии, что n0<^Nc и что возбужденными состояниями
различных центров можно пренебречь. Формально уравнение
(4.46) представляет собой кубическое уравнение относительно
п0 или exp(EF/k0T), однако оно упрощается к квадратному,
если зазор между двумя энергиями примесных центров велик
по сравнению с k0T. На рис. 4.23 изображен типичный
характер возрастания По при нагревании (сопровождаемого
температурным изменением электрохимического потенциала) для двух
15 Величина Na должна быть меньше, чем (Ndi-\-Nd2), чтобы вообще
поведение полупроводника определялось донорами. Однако чтобы
наблюдалось поведение, показанное на рис. 4.23, должно выполняться более жесткое
требование Na<Ndt. Дело в том, что когда число компенсирующих центров
превышает число самых мелких доноров, уровень Ферми при низких
температурах оказывается «привязанным» к энергии более глубокого донора.
Формально ситуация такая же, как для одного вида доноров /У,*2 с (ЛЛ„—/V.i t)
компенсноующими центрами.
4.1. Равновесная статистика электронов
401
типов центров, хорошо разделенных по энергии. «Истощение»
одного из них наступает раньше, чем может начаться сколько-
нибудь заметная ионизация второго.

Ви переглядаєте статтю (реферат): «Влияние двух или большего числа типов центров» з дисципліни «Фізика твердого тіла»

Заказать диплом курсовую реферат
Реферати та публікації на інші теми: Основні види систем комп’ютерної телефонії
ЗБІЛЬШЕННЯ СТАТУТНОГО КАПІТАЛУ БЕЗ ЗАЛУЧЕННЯ ДОДАТКОВИХ ВНЕСКІВ
Аудит інвестицій. Мета, завдання та джерела перевірки
Опитування як метод збору соціологічної інформації
Збір за видачу дозволу на розміщення об’єктів торгівлі та сфери п...


Категорія: Фізика твердого тіла | Додав: koljan (05.12.2013)
Переглядів: 528 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]

Онлайн замовлення

Заказать диплом курсовую реферат

Інші проекти




Діяльність здійснюється на основі свідоцтва про держреєстрацію ФОП