ОБЩАЯ СXЕМА ИЗМЕНЕНИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ. ОБЩАЯ СХЕМА ИЗМЕНЕНИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПРИ СТЕКЛОВАНИИ И КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
Если в интервале затвердевания Е ~ Т-2, Е = Е0 Т-2 и то величины ln/пр , lnD/Dпр, ln/пр линейно возрастают при охлаждении пропорционально Т-3. Такая зависимость представлена на рис. 6.12. При другом темпе затвердевания и другом показателе "n" потребуется соответственно взять аргументом иную степень температуры, чтобы получить линейную зависимость. Более универсальным аргументом, обеспечивающим зависимость, близкую к линейной, могут служить соответствующие значения параметра h/kT или энтропии S.
Рис.6.12 Общая схема изменения кинетических коэффициентов вязкости, диффузии, электропроводности в интервале затвердевания жидкостей. Кривые 1,3 получены из корреляций рис.6.6 и 6.8.; 4- данные испытаний твёрдых материалов на время разрушения; 5- диффузия в твёрдых металлах и полупроводниках; 6- электропроводность щёлочногалоидных кристаллов, 7- диффузия многозарядных ионов в оксидных расплавах и стёклах ; 8- самодиффузия и вязкость жидких металлов.
Параллельное или симбатное изменение энергий активации вязкости, диффузии, электропроводности, а также других процессов (например, ориентационной релаксации) свидетельствует о том, что эти изменения вызваны общей причиной - увеличением жёсткости структуры, её стабильности к различным перегруппировкам частиц, которые соответствуют элементарным актам разных процессов переноса. Все они затрудняются по мере твердения структуры приблизительно в одинаковой степени; в модели с потенциалом ( 2.1) величины Е пропорциональны интенсивности стабилизирующих эффектов Fcт. При кристаллизации оказывается пригодной практически та же схема, однако "исчезают", проходятся скачком и "становятся невидимыми" некоторые средние участки этой зависимости, характеризующие промежуточные состояния между кристаллом и жидкостью, которые у одних веществ занимают большую часть интервала затвердевания, у других - меньшую. Эта схема передаёт приведённые выше корреляции по температурной зависимости вязкости жидкостей и стёкол различной природы, а также данные по диффузии и ионной электропроводности. Линия 2 отражает температурную зависимость коэффициентов самодиффузии таких сильно связанных ионов, как Si в силикатных расплавах. В эту схему укладываются и такие данные, как значения коэффициентов самодиффузии и электропроводности щёлочногалоидных кристаллов и их расплавов; данные испытаний материалов на время разрушения [35]; данные по диффузии в твёрдых металлах и полупроводниках [200], и в их расплавах; данные по вязкости перечисленных веществ в расплавленном состоянии. В целом схема на рис. 6.12 охватывает весьма обширный материал; она даёт ту общую схему изменения кинетических свойств вещества при затвердевании, которую должна описать адекватная молекулярная модель затвердевания.
Ви переглядаєте статтю (реферат): «ОБЩАЯ СXЕМА ИЗМЕНЕНИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ. ОБЩАЯ СХЕМА ИЗМЕНЕНИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПРИ СТЕКЛОВАНИИ И КРИСТАЛЛИЗАЦИИ» з дисципліни «Про кризу кінетичної теорії рідини і затвердіння»
