Многие интересные явления происходят в полупроводнике в том случае, когда распределение электронов по разрешенным состояниям существенно отличается от равновесного. С такими 60 Имеется много современных статей на эту тему, однако для начального знакомства с вопросом можно рекомендовать статью Филиппа и Эрен- райха [Philipp Н. R., Ehrenreich Я.—Phys. Rev., 129, 1550 (1963)], которая содержит данные по коэффициету отражения для ряда полупроводников и в которой обсуждается анализ информации о вещественной и мнимой частях диэлектрической проницаемости методами Крамерса — Кронига. Оптические свойства могут быть связаны с определенными заполненными и определенными пустыми зонами. 61 Обзор фотоэмиссионных методов, применяемых для неметаллических твердых сел см. в работе: Spicer W. Е, Eden R. С. Proceedings 9th International Semiconductor Conference, Moscow, Academy of Sciences, 1968, p. 65 62 См, например, Lax B. Proceedings 9th International Semiconductor Conference, Moscow, Academy of Sciences, 1968, p. 253. 4.4. Явления, обусловленные избыточными носителями 465 отклонениями от термодинамического равновесия мы сталкиваемся в любом биполярном полупроводниковом приборе, а во многих случаях и в однородных полупроводниковых образцах. Описание неравновесных явлений, которое дано в этом разделе, весьма кратко. Гораздо более обширные сведения могут быть получены из литературы, приведенной в конце главы, включающей монографии Рывкина, Бьюба и автора этих строк.
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Явления, обусловленные избыточными носителями» з дисципліни «Фізика твердого тіла»
