ДИПЛОМНІ КУРСОВІ РЕФЕРАТИ


ИЦ OSVITA-PLAZA

Реферати статті публікації

Пошук по сайту

 

Пошук по сайту

Головна » Реферати та статті » Фізика » Основи фізики плазми і керованого синтезу

Циклотронное затухание
Механизм циклотронного затухания отличен от механизма
затухания Ландау. Здесь электрическое поле волны перпендику-
перпендикулярно направлению магнитного поля и дрейфу частицы и уско-
ускоряет частицу перпендикулярно направлению дрейфа. Рассмотрим
простой случай, в котором тепловая энергия движения частиц,
перпендикулярного магнитному полю, равна нулю, а скорость
частиц, параллельная магнитному полю Bq = Bq% равна V.
Уравнение движения имеет вид
+ V q(E + v х *В°+ V* x Bl^ A1Л7)
Поскольку нас интересует ускорение перпендикулярно полю, по-
положим (Ei • z) = 0. Bi дается выражением Bi = (k x E)/o;.
Введем v^ = vx ± ivy, и Е± = Ех ± гЕу. Решение с начальным
условием v = 0 при t = 0 имеет вид
±__ iqE±(uj—kV)exp(ikz—iwt) 1 — exp(iujt—ikVt ± г fit)
mu uj-W±Q ' (Ц18)
m
Макроскопическое значение vi получается путем усреднения по
функции распределения /o(V):
(v±) = кеМ^" Ы) ((C++OEJ.+ t(c+ -OEjl x z), A1.19)
c± = a±-if3±i A1.20)
!) Разумеется, частицы обмениваются энергией не с магнитным, а с элек-
электрическим полем волны. При этом, хотя изменяется «продольная» энергия,
взаимодействие происходит с «поперечными» по отношению к магнитному по-
полю компонентами электрического поля Ех, Еу (см., например, Тимофеев А. В.
Физика плазмы. 2004. Т. 30. С. 795). — Примеч. ред.
оо
±_ Г
a ~ J
§11.3. Циклотронное затухание 199
~ <*»(" -W± Q)t)
—oo
oo
± = f /p(V)(l - kV/ш) sin(u; - fc7 ± fl)t
J w-fcV±fl "
—oo
При больших t
Приближения A1.19)—A1.24) оправданы, когда
OtS-. A1-25)
где Vrms = (У2I/2 есть разброс распределения по скоростям. По-
Поглощение энергии волны частицами плазмы дается выражением
+ iEy\2 + f3-\Ex-iEy\2). A1.26)
-ii it/
Рассмотрим случай электронов (J?e > 0). Как было описано
в разд. 10.2, волна N2 = Д, распространяющаяся в направлении
магнитного поля F = 0), удовлетворяет уравнению Ех + гЕу = 0,
так что поглощенная мощность равна
Когда и > 0, формула A1.24) означает, что /3 > 0. В случае
и < 0 величина /?"" близка к нулю, т. к. /о ((о? — Ое)/к) <^С 1.
Рассмотрим случай ионов (—J?i > 0). Подобным же образом
находим
Когда ш > 0, A1.24) означает /?+ > 0. В случае о; < 0 величина
/?+ близка к нулю, т. к. /0 (и + Д/Л) < 1.
Циклотронная скорость Vc определяется таким образом, что
частота волны с доплеровским сдвигом (частота волны, которую
200 Гл. И. Затухание Ландау и циклотронный резонанс
чувствует частица, движущаяся со скоростью V) равна цикло-
циклотронной частоте, т. е.
ш - kVc ± П = 0,
Соответственно частицы поглощают энергию волны, когда абсо-
абсолютное значение циклотронной скорости меньше, чем абсолют-
абсолютное значение фазовой скорости волны (±П/ш < 0) — см. A1.24).
Это явление называют циклотронным затуханием.
Рассмотрим изменение кинетической энергии частиц в случае
циклотронного затухания. Уравнение движения имеет вид
ШЖ " q(<V Х В°) = qE± + q(V X Bl)'
Так как Bj = (к х Щ/со и Ez — 0, имеем
dvz qk
так что , , ,
kzv.
«V_l / -гу ч /t kzVz\
mv±- — = g(vx . Ex) A - — )•
Тогда
d (mv2z\ _ kzvz d (mv\
Jt V~2~/ ~ ш - kzvz dt \~2~
v± + [vz — — ) = const.
\ fcz /
При анализе циклотронного затухания мы полагали, что ско-
скорость vz = V постоянна; условие справедливости линеаризован-
линеаризованной теории имеет вид [3]
k2zq2E\\uj-kzvzf <x
Мы рассмотрели случай, когда поперечная тепловая энергия
равна нулю. Если эта энергия больше, чем тепловая энергия
движения частиц вдоль магнитного поля, может возникнуть так
называемая циклотронная неустойчивость. Взаимодействие меж-
между частицами и волной будет еще обсуждаться в гл. 12 и 13
в связи с нагревом и неустойчивостями.

Ви переглядаєте статтю (реферат): «Циклотронное затухание» з дисципліни «Основи фізики плазми і керованого синтезу»

Заказать диплом курсовую реферат
Реферати та публікації на інші теми: Чергування голосних і приголосних
Ознайомлення з об’єктом аудиту
Операції по залученню вкладів і депозитів. Міжбанківський кредит
НЕБАНКІВСЬКІ ФІНАНСОВО-КРЕДИТНІ УСТАНОВИ
Сучасний стан систем телекомунікацій в Україні


Категорія: Основи фізики плазми і керованого синтезу | Додав: koljan (22.11.2013)
Переглядів: 575 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]

Онлайн замовлення

Заказать диплом курсовую реферат

Інші проекти




Діяльність здійснюється на основі свідоцтва про держреєстрацію ФОП