ДИПЛОМНІ КУРСОВІ РЕФЕРАТИ


ИЦ OSVITA-PLAZA

Реферати статті публікації

Пошук по сайту

 

Пошук по сайту

Головна » Реферати та статті » Фізика » Основи фізики плазми і керованого синтезу

Неоклассическая диффузия электронов в токамаке
Эффективная частота столкновений v$\ запертого электрона
представляет собой частоту, при которой условие G.17) для
запертого электрона нарушается из-за столкновений. Так как
частота столкновений ие1 — это обратное время диффузии, необ-
необходимое для изменения направления скорости на 1 радиан, эф-
эффективная частота столкновений иец равна
^ = ^1- G.19)
Соответственно, если иец < 1/ть, т. е.
" Ч /^ч1/2) G.20)
запертый электрон может пройти весь «банан». Когда запертый
электрон сталкивается, он может сместиться на толщину «бана-
«банана» (см. разд. 3.5Ь)
_ mv\\ _ mv± v\\ В i/2 Д 2тг _ /2тг\ -1/2
Так как число запертых электронов составляет б/ от полного
числа электронов, вклад запертых электронов в диффузию
A,s. =
4i. G.22)
Этот коэффициент диффузии, введенный Галеевым и Сагдее-
вым [2], в 6t~3/2 = (i?/rK/2 раз больше, чем коэффициент диффу-
диффузии в столкновительном случае. Данный вывод носит полукаче-
полукачественный характер. Более строгий вывод приведен в работе [2].
Как отмечалось в разд. 7.1, МГД описание применимо, если
частота электрон-ионных столкновений больше чем частота i/p,
которая дается выражением
• G'23)
108
Гл. 7. Диффузия плазмы, время удержания
Когда частота электрон-ионных столкновений меньше, чем ча-
частота ~ ,о
U\> = 6t Up, \l .Z4J
электрон может завершить оборот по «банану». Коэффициенты
диффузии записываются в следующем виде:
Чь ^ei>^p, G.25)
3/2
G.26)
Если i/ei находится в области i/ь < uei < z/p, то описать явления
диффузии электронов посредством простой модели невозможно.
В этой области нужно прибегнуть к анализу, базирующемуся
на уравнении Власова в дрейфовом приближении. В результате
оказывается, что коэффициент диффузии не зависит от частоты
столкновений и определяется как [2, 3]
) 2 \/2
Dp =
ue
G.27)
Зависимость коэффициента диффузии от частоты столкновений
показана на рис. 7.3. Область ие1 > ир называется столкнови-
тельной, или МГЦ областью. Область ир > ие1 > и\> — это
область плато, или промежуточная область, а область ие1 < щ
называется областью бананов, или областью редких столкно-
столкновений. Такую диффузию называют неоклассической. По неоклас-
неоклассической диффузии существует превосходный обзор [3].
А
rGS
Рис. 7.3. Зависимость коэффициента диффузии от частоты столкновений в то-
камаке. и? = (i/ */2
Частота электрон-электронных столкновений не влияет на
коэффициент диффузии электронов, так как скорость центра
масс не меняется при кулоновских столкновениях.

Ви переглядаєте статтю (реферат): «Неоклассическая диффузия электронов в токамаке» з дисципліни «Основи фізики плазми і керованого синтезу»

Заказать диплом курсовую реферат
Реферати та публікації на інші теми: Довгострокове кредитування як форма участі банку в інвестиційному...
МІЖНАРОДНИЙ ВАЛЮТНИЙ ФОНД І ЙОГО ДІЯЛЬНІСТЬ В УКРАЇНІ
Затвердження
Реки, текущие в гору
Windows Debugging Tools: диагностика и исправление BSOD


Категорія: Основи фізики плазми і керованого синтезу | Додав: koljan (21.11.2013)
Переглядів: 555 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]

Онлайн замовлення

Заказать диплом курсовую реферат

Інші проекти




Діяльність здійснюється на основі свідоцтва про держреєстрацію ФОП