Сюда относится большое число различных процессов. Нас будут интересовать устройства с плазменной компонентой, в которых на обрабатываемых поверхностях идет процесс полимеризации простых органических молекул. Образование твёрдых отложений на стенках электроразрядных устройств при наличии углеводородных было описано еще в 1874 году (А. Тэнард, П. де Вилде). Но они преимущественно воспринимались просто как грязь, хотя давно были извест- ны их твёрдость, плохая растворимость во многих случаях, а также высокая адгезия к поверхностям. В 1960-х годах в связи с развитием микроэлектроники ситуация начинает меняться. Эти плазмополимеризационные пленки становятся предметом серьезных исследований. Выясняется следующая схема полимеризации на поверх- ности. Она начинается с появления здесь активных центров, которыми могут быть свободные радикалы или ионизованные молекулы. Появление этих центров обязано разряду - обычно тлеющему. Активный центр захватывает мономерную молекулу, а эта последняя — следующую и т.д. Так идет цепная полимеризация. Вот пример построения цепочки, которая начинается с ионизации е; сн2 сн2 R = СН+ СН2 = + сн2 СИ+ + 1 1 R = СН СН2 = СН -СН = СН+, I I R R R R и т.д. Далее цепочка молекул строится как с положительным радикалом, так и с электро- ном. Рост цепочек может прекращаться по разным причинам, в частности, при встрече двух цепочек разных знаков М+ + М~ -> обрыв. Типичная схема реактора для получения описанных покрытий такова. Источником плазмы является тлеющий разряд. В реактор вводятся полимеризуемая субстанция и буферный газ, например Аг. Образующиеся в разряде свободные атомы и радикалы диффундируют к поверхности и вызывают цепную полимеризацию.
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Нанесение полимерных покрытий» з дисципліни «Введення в плазмодінаміку»
