ДИПЛОМНІ КУРСОВІ РЕФЕРАТИ


ИЦ OSVITA-PLAZA

Реферати статті публікації

Пошук по сайту

 

Пошук по сайту

Головна » Реферати та статті » Фізика » Основи кристалофізики

Кручение круглого кристаллического стержня
Рассмотрим анизотропный
круглый стержень радиуса R и длины
2/, к торцам которого приложены
крутящие моменты К и — К, а боковая
поверхность свободна от нагрузок. Введем специальную, отличную,
вообще говоря, от кристаллофизической, декартову систему
координат с началом в центре стержня, ось Х'ц которой (с ортом е'ъ = q)
совпадает с осью стержня, оси же Х\ и Х'% (с ортами е\ = т и е\ = п)
перпендикулярны к ней и друг к другу, а в остальном произвольны.
Кроме того, введем в каждой точке местную систему координат,
построенную на ортах ег, £ф и q, направленных вдоль
координатных линий цилиндрической системы координат (рис. 54.2). Цилинц-
Рис. 54.2. Специальная и
местная системы координат для
решения задачи о кручении
круглого стержня.
§ 54] ИЗГИБ И КРУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ 335
рическая система координат связана со специальной соотношениями
х\ = г cos ф, х'2 = г sin ф.
Крутящий момент К может быть создан, в частности,
приложенными к торцу х<л = I усилиями Р = kre^ на единицу площади. Тогда
2л R
tf=J rxPdS=\ \rerxkre^rdrd^ = ^nR/'kqy E4.11)
S ^ 0
откуда находим k = 2K/nR*. Граничным условиям eq =
= B/С/я/?4) гву, a-er = 0 удовлетворяет тензор напряжений
Чтобы выразить его в специальной системе координат, заметим,
что геЦ) = х[п — х%т. Таким образом,
° = ^[*'ЛЩ!+ЧП)-4(Щ + 11*I E4. 13)
Для вычисления деформаций запишем компоненты тензора
напряжений в виде
^ = |^W64^^65,); E4.14)
эта форма записи непосредственно следует из E4.13).
Деформации ел равны
ел =^r(s'ux\-sM). E4.15)
Закручивание по оси на единицу длины стержня равно # =
= дцъ/дх'ъ. Воспользовавшись опять формулами D9.17) и D3.13),
найдем
Учитывая E4.15), получим
^• E4.17)
Отношение С = К/$ называется жесткостью стержня на
кручение; очевидно,
Чтобы выразить жесткость С через табличные значения
коэффициентов упругой податливости, рассмотрим выражение
(S + SB&) = S2323 + S1313 = S2323 4" S1313 ~\~ S3383 "~ S3883 = SkbkB — S3333'
336 упругость кристаллов ггл vt
Здесь коэффициенты упругой податливости по-прежнему
отнесены к специальной системе координат, но их уже можно
выразить посредством единственного орта q, направленного по
координатной оси Х'г. Так как в произвольной декартовой системе
координат это выражение можно представить в виде
6lk — qtqk) qfqh
где qj — компоненты единичного вектора q относительно этой
системы, то жесткость стеожня на кручение будет равна
- E4Л9)
У изотропного тела s44 = s66 = 1/G (G— модуль сдвига), так
что его жесткость на кручение С = jx/?4G/2. Поэтому величину
E4-20)
называют модулем сдвига анизотропного материала для кручения.
С помощью симметричного материального тензора второго ранга
2// = skjki и формулы E3.9) можно представить обратную величину
модуля сдвига G (q) в удобном для вычисления виде
где Er1 (q) — обратная величина модуля Юнга. Вид тензора Z для
всех классов упругой симметрии представлен в табл. 54.1.
Поскольку анизотропные стержни при изгибе закручиваются,
можно ожидать, что при кручении они будут изгибаться. И
действительно, подсчитав
' &Pj ^833 ^23 ^^ 9
■ дх$ дх% Ьх\ kR*
дх\
найдем, что ось изгиба параллельна вектору s^m + s'un, а
абсолютная его величина
И это выражение зависит только от кристаллографической
ориентировки оси стержня, т. е. от компонент qt ее орта q. В
произвольной, в частности в кристаллофизической, системе координат
Указательные поверхности модуля Юнга Е (q)> коэффициентов
растяжения Е'1 (q), кручения G (q) и Пуассона v (q) для ряда
кристаллов представлены на некоторых рисунках к § 24 и на
§54]
ИЗГИБ И КРУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ
337
Таблица 54.1
Тензор Zif = Sikjk Для всех кристаллографических
и предельных классов (см. формулу E4-21))
Системы
Три-
клинная
система

Моноклинная
система
цх,

Ромбическая
система

Тетрагональная
система
Триго-
нальная
и
гексагональная
системы и
текстуры

Кубическая
система

Изотропные
тела
4*6
2Sp 2S26
4 о
0
0
3/2Sll — 72S12 "T" 74S44
0
0
S11+V2S44
0
0
2sn —s12
0
0
Zif ~ sik)k
0
S22+74S66+74S44
0
S22+l/4See + 1/4«44
0
0
4 66
0
Si 1 + V4S44 + 74^66
0
0
/2S11- /2S12 /4S44
0
S11+72S44
0
0
2su—s12
0
/4^54 ~f~ /2^35 ~Ь /2^16
/4^50 ~Ь /2^24 H~ /2^34
2S35
0
0
S33+74S44+74S55
0
0
0
0
0
0
S33 +72*44
0
0
0
0
2sn—s12
338
УПРУГОСТЬ КРИСТАЛЛОВ
ГГЛ VI
рис. 54.3—54.10. Для кристаллов кубической системы они
показаны на рис. 24.4, аи б и 24.7. Если тензор коэффициентов упругой
податливости s для кристаллов кубической системы записать в
Рис. 54.3. Указательные поверхности упругих свойств кристалла дигидрофосфата
аммония (ADP), класс 42m: a) E~x (q), стереографическая проекция; б) G'1 {q),
стереографическая проекция; в 10~13 см2/дин; в) G {q), сечения Симметрия поверхностей 4/ттт
форме E2.13), то уравнения указательных поверхностей E~l (q)
и G (q) принимают вид
г = Я-1 (д) = S\4) + SNNOciklqiqjqkqh E4.22)
r~G~Hq) = \ (S}4} -S\22))-2S{N4)№iikiqiqfqkqh E4.23)
где коэффициенты S определяются формулами E2.15), а нонор № —
формулой E2.14). Таким образом, ради усы-векторы этих поверх-
§54]
ИЗГИБ И КРУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ
339
ностей состоят из постоянного слагаемого (в E4.22) это S(/}) и
нормальной составляющей нонора № [тЗт], умноженной на некоторый
коэффициент (в E4.22) это S^vJ). Можно сказать, что указательные
Рис 54.4. Стереографическая проекция указательной поверхности коэффициента
кручения G~l (q) кристалла дигидрофосфата калия (KDP), класс 42т. Симметрия
поверхности 4/mmm; в 103 см2/дин.
Рис. 54.5. Стереографические проекции указательных поверхностей: а) коэффициент
растяжения Е ~l (q); б) коэффициента кручения G'1 {q) кристалла пентаэритрита, класс 4,
класс Лауэ 4/т. Симметрия поверхностей 4/mmm; в 10~13 см2/дин.
поверхности E4.22) и E4.23) — линейные комбинации
указательных поверхностей единичного скаляра (сферы г — 1) и единичного
нонора № \tn3m] (см. рис. 47.5). Таким образом, поверхность,
изображенная на рис. 47.5, оказывается универсальной указательной
Рнс 54 6 Стереографические проекции (верхний ряд) и сечения плоскостью Х2Х9 (нижний ряд) указательных поверхностей
упругих свойств кристалла турмалина, класс Зот: а) коэффициента растяжения Егг (q); в 10^ см2/дин; б) коэффициента кручения G~l (q):
в 10"" см2/дин; в) коэффициента Пуассона v (q). Симметрия поверхностей Зт. Плоскость XtKt изотропна.
240 УПРУГОСТЬ КРИСТАЛЛОВ ГГЛ VI
Рис. 54.7 Стереографические проекции (верхний ряд) и сечения плоскостью X2XS (нижний ряд) указательных поверхностей упругих
свойств кристалла теллура, класс 32: а) коэффициента растяжения Е~г (q); в Ю3 см2/дин; 6) коэффициента кручения G г (q);
в 10~13 см2/дин; в) коэффициента Пуассона v (q). Симметрия поверхностей Зт. Плоскость XiX2 изотропна.
§ 54] ИЗГИБ И КРУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ 341
342
УПРУГОСТЬ КРИСТАЛЛОВ
ГГЛ VI
поверхностью анизотропии упругих свойств всех кубических
кристаллов. Она показывает, в частности, что плоскости {111} являются
для них изотропными, а направления A00) и A11 > —
экстремальными.
6)
Рис. 54.8. Стереографические проекции указательных поверхностей: а) коэффициента
растяжения Ё~х (q); б) коэффициента кручения G~l (q) кристалла КВ6О8 *4Н2О, класс
тт2. Симметрия поверхностей ттт\ в 10~13 см2/дин.
Рис. 54.9. Сечения координатными плоскостями указательных поверхностей
коэффициента растяжения Е~х (у) (внутренняя поверхность) и коэффициента кручения G~x (q)
(внешняя) кристалла сегнетовой соли, класс 222 Симметрия поверхностей tnmtn (Woos-
ter, 1949)
Указательные поверхности Е'1 (q) и G (q) для трансверсально-
изотропных по упругим свойствам кристаллов приведены на
рис. 24.6. Если тензор s записать в форме E2.9), их уравнения
примут вид
r=
E4.24)
-2S{NA)N]mqiqiqkqh E4.25)
. 54|
ИЗГИБ И КРУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ
343
1де D0 и № определяются формулами E2.10) и E2.11). Таким
образом, эти поверхности оказываются линейными комбинациями сферы
и указательных поверхностей тензоров D° [oolmm] и № [оо/тт]
(см. рис. 47.1,6 и г). Коэффициенты разложения характеризуют
роль отдельных неприводимых тензоров в формировании
указательной поверхности.
На рис. 54.3—54.5 приведены стереографические проекции и
сечения указательных поверхностей упругих свойств кристаллов
тетрагональной системы, с^ги указательные поверхности можно
представить в виде линейных
комбинаций сферы и
указательных поверхностей D° [oo/mm],
№ [oolmm] и № [тЗт]. Как
показывает рис. 54.5, у кристаллов
класса Лауэ 4/т симметрия
упругих свойств также 4/ттт,
только плоскости симметрии
упругих свойств не связаны у
них с кристаллофизическими
координатными осями.
Указательные поверхности
Е'1 (q) и G (q) кристаллов три-
гональной системы (см. рис.
24.8—24.11, 54.6 и 54.7) — также
линейные комбинации сферы и
поверхностей D° [oo/mm],
№ [oo I mm] и № [m3m], но
последняя берется в
«ромбоэдрической» установке (ем. рис. 47.5, б).
Так как для всех составляющих
плоскость ХХХ2, т. е. @001), изотропна, она оказывается
изотропной и для упругих свойств, что и подтверждается всеми этими
рисунками. На рис. 54.7, б видно, что у кристаллов коэффициент
Пуассона v (q) может принимать не только отрицательные значения,
но и значения, большие 0,5, что у изотропных тел невозможно (см.
формулу F3.23)).
Поверхности упругих свойств кристаллов ромбической
системы, приведенные на рис. 24.5, 54.8 и 54.9, можно получить
линейным комбинированием из набора для тетрагональных
кристаллов, дополненного рис. 47.6. Наконец, на рис. 54.10
представлена поверхность E~l (q) для ' кристалла моноклинной
системы.
Уравнения указательных поверхностей упругих свойств, в
частности уравнения E4.22) — E4.25), можно получить путем
линейного комбинирования уравнений поверхностей единичных
неприводимых тензоров, приведенных в табл. 47.4.
Рис. 54.10. Стереографическая проекция
указательной поверхности коэффициента
растяжения Я (q) кристалла этилендиа-
минтартрата (EDT), класс 2. Симметрия
поверхности 2/т; в 10~13

Ви переглядаєте статтю (реферат): «Кручение круглого кристаллического стержня» з дисципліни «Основи кристалофізики»

Заказать диплом курсовую реферат
Реферати та публікації на інші теми: Аудит орендованих необоротних активів
Інвентаризація майна як складова частина оцінки його вартості
ПЛАН САНАЦІЇ (РЕОРГАНІЗАЦІЇ) БОРЖНИКА
ЕКОНОМІЧНИЙ ЗМІСТ САНАЦІЇ БАЛАНСУ ТА ПРИЗНАЧЕННЯ САНАЦІЙНОГО ПРИБ...
Аудит витрат на поліпшення необоротних активів


Категорія: Основи кристалофізики | Додав: koljan (10.12.2013)
Переглядів: 1274 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]

Онлайн замовлення

Замовити дипломну курсову реферат

Інші проекти




Діяльність здійснюється на основі свідоцтва про держреєстрацію ФОП