Виходячи із закону Ома , можна записати , де - рухливість носіїв електричного струму. Після підстановки (5.5) одержуємо , (5.6) де в правій частині множники ( ), та Т3/2 значно слабше залежать від температури порівняно з ехр( ). Тому рівняння (5.6) із великою точністю можна переписати так: або . (5.6`) У напівлогарифмічних координатах (5.6') зображується у вигляді прямої лінії (рис. 5.4), кутовий коефіцієнт якої дорівнює ширині забороненої зони. Для домішкового напівпровідника можна записати напівемпіричне співвідношення, аналогічне (5.6'): , (5.7) яке графічно подане на рис. 5.5.
Рисунок 5.4 –Темпера-турна залежність питомої провідності власного напівпровідника у напів-логарифмічних координа-тах
Рисунок 5.5 - Температурна залежність питомої провідності домішкового напівпровідника у напівлогарифмічних координатах: а-б - слабка n- або р-провідність ( має малу величину); б-в - домішкова провідність вичерпала себе, а власна ще не вступила на повну силу ( зменшується, оскільки n не змінюється, а розсіювання на фононах підсилюється); в-г - власна провідність ( різко зростає, оскільки генерується велика кількість вільних носіїв).
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Провідність напівпровідників» з дисципліни «Фізика твердого тіла»
