Таким образом, в сегнетоэлектрическом материале при температурах ниже температуры перехода возникает упорядоченное расположение индуцированных диполей, что приводит к понижению энергии кристалла. Для антисегнетоэлектри- ческих твердых тел также характерно упорядочение индуцированных диполей ниже температуры перехода, но этот класс веществ не обладает объемной спонтанной поляризацией, поскольку каждый диполь антипараллелен соседним диполям. Требования к структуре для этого типа веществ те же, что и для истинных сегнетоэлектриков, и хорошо известные антисегнетоэлектрические материалы изоморфны некоторым сегнетозлектрикам, упоминавшимся выше. Так, ниобат натрия NaNb03 и цирконат свинца PbZr03 кристаллизуются в структуре перовскита, однако антипараллельное выстраивание диполей соседних цепочек обеспечивает ниже определенной температуры более низкую полную энергию, чем для параллельной ориентации диполей в ВаТЮз и KNb03 или для состояния с полным отсутствием индуцированных диполей. Точно так же дигидро- фосфат калия (KDP) является сегнетоэлектриком, а изоморфный ему дигидрофосфат аммония (ADP) — антисегнетоэлек- триком.
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Явления антисегнетоэлектричества» з дисципліни «Фізика твердого тіла»
