В прямозонном полупроводнике (в котором излучательная рекомбинация может быть очень эффективным процессом) с заметной вероятностью может протекать и рекомбинация типа Ожеу или рекомбинация с участием третьего тела. Это процесс, обратный ударной ионизации; электрон и дырка рекомбинируют и передают энергию аннигиляции третьей частице, электрону или дырке. Такой процесс должен происходить с сохранением как энергии, так и импульса, и вероятность таких процессов сильно возрастает, если отношение (mcfmv) значительно меньше или значительно больше единицы (см. задачу 4.27). Мы не будем здесь входить в подробности оже-рекомбинации зона — зона, отсылая заинтересованного читателя к нашей монографии «Статистика полупроводников». Для прямозонного полупроводника время жизни избыточных носителей, обусловленное комбинацией излучательной и оже-рекомбинаций, оказывается весьма малым (в диапазоне 1(Н°—10~7 с в зависимости от равновесных концентраций электронов и дырок). Однако одновременно удовлетворить сохранению энергии и импульса, как того требует оже-рекомбинация, в непрямозонном полупроводнике значительно труднее. Аналогично излучательная рекомбинация в непрямозонном твердом теле протекает очень медленно, поскольку излуча- тельный процесс является обратным довольно малоэффективному процессу поглощения с непрямыми переходами. Поэтому время жизни избыточных носителей, рассчитанное для непрямо- зонного полупроводника, может лежать в пределах от 10~2 до 106 с, если оно зависит только от рекомбинациоиных процессов зона — зона.
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Оже-рекомбинация» з дисципліни «Фізика твердого тіла»
