ДИПЛОМНІ КУРСОВІ РЕФЕРАТИ


ИЦ OSVITA-PLAZA

Реферати статті публікації

Пошук по сайту

 

Пошук по сайту

Головна » Реферати та статті » Фізика » Фізика твердого тіла

Вандерваальсово взаимодействие
Вандерваальсово взаимодействие, как уже отмечалось,
всегда существует между близко расположенными атомами, но
играет важную роль лишь в отсутствие более сильных
механизмов связи. Это слабое взаимодействие (с характерной энергией
0,2 эВ/атом) имеет место между нейтральными атомами и
между молекулами. Название взаимодействия связывается
с именем Ван-дер-Ваальса, поскольку именно он предположил,
что уравнение состояния с учетом слабого притяжения между
молекулами газа описывает свойства реальных газов много
лучше, чем уравнение состояния идеального газа. Однако
природа этой универсальной силы притяжения была объяснена
лишь в 1930 г., когда данной проблемой заинтересовался
Лондон.
Лондон заметил, что, хотя постоянный электрический ди-
польный момент нейтральных атомов, как и многих молекул,
равен нулю, эти атомы и молекулы притягиваются друг к другу
электрическими силами. Он указал на то, что нулевые
колебания, существующие в силу принципа неопределенности, создают
у каждого нейтрального атома флуктуирующий дипольный мо-
/./. Типы межатомных связей
19
мент с быстро меняющейся ориентацией и амплитудой. Поле,
индуцируемое диполем, убывает пропорционально кубу
расстояния. Таким образом, если ядра двух атомов находятся на
расстоянии г друг от друга, диполь одного из атомов в каждый
момент времени создает в точке, где находится другой диполь,
мгновенное поле, пропорциональное (1/г)3. При этом
потенциальная энергия взаимодействия между диполями (приводящая
к притяжению) дается выражением
•Ьпритяж=—Л/Г . (1.1)
Квантовомеханический расчет энергии этого диполь-дипольного
взаимодействия показывает, что если бы можно было
уменьшить г до 1 А, то энергия притяжения ^притяж достигла бы
10 эВ. Однако обусловленное перекрытием электронных
оболочек отталкивание не позволяет сблизить атомы на столь малое
расстояние.
С уменьшением расстояния между атомами электронные
облака атомов начинают перекрываться, возникает механизм,
который приводит к ослаблению притяжения. Это можно понять
с помощью принципа Паули, согласно которому в одном и том
же квантовом состоянии не могут находиться два и более
электронов. Таким образом, перекрытие электронных облаков двух
атомов с почти заполненными электронными оболочками
возможно лишь при переходе некоторых электронов в более
высокие квантовые состояния, для чего требуется дополнительная
энергия.
Зависимость энергии отталкивания от расстояния между
атомами можно описать либо степенным законом (для этого
необходима столь сильная зависимость, как г~и—г-12), либо с
помощью характерной длины. Последний способ обычно
оказывается наиболее удовлетворительным, и, воспользовавшись им,
полную энергию можно записать в виде
£=--А + Вехр(—г-у (1.2)
Эта зависимость изображена на рис. 1.4 сплошной кривой.
Энергия образующейся связи и равновесное расстояние г0
между связанными атомами определяются параметрами А, В
и р. Поскольку характерная длина р мала по сравнению с
межатомным расстоянием, в равновесной конфигурации,
отвечающей минимуму энергии £, член, соответствующий
отталкиванию, вносит весьма малый вклад в энергию связи5.
До сих пор мы говорили о вандерваальсовом взаимодействии
между парой изолированных от окружения атомов. В трехмер-
5 См. помещенную в конце главы задачу 1.1 в качестве упражнения»
показывающего правильность этого утверждения.
20 Гл. 1. Кристаллическая структура и форма твердых тел
Рис. 1.4. Полная потенциальная
энергия взаимодействия Ван-дер-Ваальса
(сплошная кривая), полученная при
сложении энергий притяжения и
отталкивания. Устойчивая связь
образуется при межъядерном расстоянии г0.
ных телах эффекты диполь-дипольного притяжения и
отталкивания, обусловленного перекрытием электронных оболочек
различных соседних атомов, складываются, так что полная энергия
связи по-прежнему определяется выражением (1.2). Поскольку
ограничения на направления связей отсутствуют, твердые тела,
в которых связи обусловлены силами Ван-дер-Ваальса,
стремятся образовать плотноупакованные кристаллические
структуры с максимально возможным числом ближайших соседей
у каждого атома. [Таковы, например, кристаллы инертных
газов Ne, Аг, Кг и Хе. Все они имеют гранецентрированную
кубическую (г. ц. к.) решетку, в которой каждый атом окружен
двенадцатью ближайшими соседями.] Поскольку вандерваальсово
притяжение быстро спадает с расстоянием, все остальные
атомы, кроме ближайших соседей, оказывают несущественное
влияние.
Кристаллы инертных газов6 являются прекрасными
примерами твердых тел, в которых связи обусловлены исключительно
силами Ван-дер-Ваальса, поскольку для конфигураций с
целиком заполненными электронными оболочками исключается
возможность существования других, более сильных механизмов
связи. Однако значительно чаще встречаются кристаллы, в
которых силы Ван-дер-Ваальса связывают между собой молекулы
с насыщенными связями, в то время как внутри молекул
действуют более сильные механизмы связи. Таковы, например,
кристаллы многих насыщенных органических соединений, а также
твердые Н2, N2, 02, F2, С12, Вг2 и 12. На примере С12, энергия
возгонки которого составляет 0,2 эВ на молекулу, а энергия
диссоциации — 2,5 эВ на молекулу, видно, что связи Ван-дер-
Ваальса между двухатомными молекулами разрываются
гораздо легче, чем ковалентная связь С1—С1.

Ви переглядаєте статтю (реферат): «Вандерваальсово взаимодействие» з дисципліни «Фізика твердого тіла»

Заказать диплом курсовую реферат
Реферати та публікації на інші теми: ЕКОНОМІЧНІ ТА СОЦІАЛЬНІ НАСЛІДКИ ІНФЛЯЦІЇ
Аэродинамическая труба
Програмне забезпечення для захисту інформації персональних комп’ю...
Кредитний договір — основа кредитних взаємовідносин
Орфографія, морфологічний та фонетичний принцип правопису


Категорія: Фізика твердого тіла | Додав: koljan (01.12.2013)
Переглядів: 651 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]

Онлайн замовлення

Заказать диплом курсовую реферат

Інші проекти




Діяльність здійснюється на основі свідоцтва про держреєстрацію ФОП