Классический коэффициент диффузии электронов Dei = 2 применим тогда, когда при каждом столкновении электрон пе- перемещается в случайном направлении на расстояние порядка ларморовского радиуса. Рассмотрим тороидальную плазму. Если угол вращательного преобразования равен ь, смещение А дрей- дрейфовой поверхности электрона от магнитной поверхности состав- составляет (см. рис. 7.2) X G.12) 106 Гл. 7. Диффузия плазмы, время удержания Знак ± зависит от того, является ли направление движения электрона параллельным или антипараллельным магнитному полю (см. разд. 3.5). Так как электрон переходит с одной дрей- дрейфовой поверхности на другую лишь при столкновении, то шаг его переме- перемещений поперек магнитного поля есть Рис. 7.2. Магнитная поверх- поверхность (пунктирная линия) и дрейфовые поверхности (сплошные линии) "(т) put- G.13) Следовательно, коэффициент диффу- диффузии дается выражением G.14) Из формулы G.14) получается выражение для фактора Пфирша—Шлютера (предполагается, что |2тгД| » 1). § 7.2. Неоклассическая диффузия электронов в токамаке Величина магнитного поля токамака представима в виде RB0 В = +6tcos0) = Bo(l-etcos0), где G.15) G.16) Когда перпендикулярная компонента v± скорости электрона гораздо больше параллельной компоненты v\\, т. е. когда It R или «II __ .1/2' G.17) электрон может оказаться запертым в области внешнего обвода тора, где магнитное поле слабое. Такой электрон дрейфует по траектории, имеющей форму банана (см. рис. 3.9).
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Приближение отдельных частиц» з дисципліни «Основи фізики плазми і керованого синтезу»
