Рискуя повториться, отметим опять, что соответствие законам термодинамики и принципу детального равновесия требует, чтобы каждый механизм генерации носителей имел механизм рекомбинации, в точности ему противоположный. Сейчас мы рассмотрим такие пары обратных друг другу процессов, которые создают или уничтожают электронно-дырочные пары. Скорости таких взаимно обратных процессов в равновесии точно равны друг другу для процесса превращения энергии каждого вида. Однако, когда пфп0 и рфро, каждый вид процесса превращения энергии должен вносить некоторый дисбаланс в соотношение скоростей генерации и рекомбинации. Предположим, например, что избыточные электронно-дырочные пары создаются в полупроводниковом образце освещением. Тогда мы имеем избыточные электроны и дырки, которые были генерированы излучением. Это вызывает увеличение скорости рекомбинации каждого типа, однако будет или нет излучательная рекомбинация играть при этом главную роль зависит от типа полупроводника, его температуры, распределения в нем примесных центров. Важно отметить, что тот механизм рекомбинации, который доминирует в возвращении величины (г—g) к равновесию, зависит от самого полупровод- 478 Гл. 4. Полупроводники пика, а не от того, что послужило причиной первоначального отклонения от равновесия. Автором этой книги были в свое время подробно рассмотрены различные виды механизмов рекомбинации, физически возможные в полупроводнике («Статистика полупроводников»). В этой книге читатель может найти детальное описание и связанные с ним математические выводы для процессов, перечисленных ниже.
Ви переглядаєте статтю (реферат): «Генерация и рекомбинация электронно-дырочных пар» з дисципліни «Фізика твердого тіла»
