ДИПЛОМНІ КУРСОВІ РЕФЕРАТИ


ИЦ OSVITA-PLAZA

Реферати статті публікації

Пошук по сайту

 

Пошук по сайту

Головна » Реферати та статті » Фізика » Фізика твердого тіла

Влияние двух или большего числа типов центров
Следует рассмотреть различного рода осложнения, которые
возникают, когда вклад двух или нескольких видов примесных
центров в заселенность зоны проводимости свободными элек-
400
Гл. 4. Полупроводники

Iе!
£с
&
^
1
1
^
0

У \
ee-£a,
Температура —
Рис. 4.23. Схема зависимости /г0 и
8f от температуры для примесного
полупроводника п-типа, в котором
действуют два типа донорных
центров, из которых более мелкие
частично компенсированы.
тронами изменяется с изменением температуры. Итак,
предположим, что в полупроводнике /г-типа имеется Nd\ примесных
донорных состояний с энергией ионизации ed\ и N&2 совершенно
других донорных центров с несколько большей энергией связи
ed2. Как обычно, в нем присутствует некоторая концентрация
Na различных компенсирующих центров, и для полупроводника
я-типа мы требуем, чтобы Na было меньше, чем (Мц+Л^г)15.
Тогда распределение всех имеющихся электронов в тепловом
равновесии удовлетворяет равенству
п0 = Nc exp (eF/k0T) = Ndl[\-Pe (еЛ)] + Nd2 [ 1 - Ре (ел)] г- Na
(4.46)
при условии, что n0<^Nc и что возбужденными состояниями
различных центров можно пренебречь. Формально уравнение
(4.46) представляет собой кубическое уравнение относительно
п0 или exp(EF/k0T), однако оно упрощается к квадратному,
если зазор между двумя энергиями примесных центров велик
по сравнению с k0T. На рис. 4.23 изображен типичный
характер возрастания По при нагревании (сопровождаемого
температурным изменением электрохимического потенциала) для двух
15 Величина Na должна быть меньше, чем (Ndi-\-Nd2), чтобы вообще
поведение полупроводника определялось донорами. Однако чтобы
наблюдалось поведение, показанное на рис. 4.23, должно выполняться более жесткое
требование Na<Ndt. Дело в том, что когда число компенсирующих центров
превышает число самых мелких доноров, уровень Ферми при низких
температурах оказывается «привязанным» к энергии более глубокого донора.
Формально ситуация такая же, как для одного вида доноров /У,*2 с (ЛЛ„—/V.i t)
компенсноующими центрами.
4.1. Равновесная статистика электронов
401
типов центров, хорошо разделенных по энергии. «Истощение»
одного из них наступает раньше, чем может начаться сколько-
нибудь заметная ионизация второго.

Ви переглядаєте статтю (реферат): «Влияние двух или большего числа типов центров» з дисципліни «Фізика твердого тіла»

Заказать диплом курсовую реферат
Реферати та публікації на інші теми: Повседневный опыт и научное знание
ВИКОНАННЯ БУДІВЕЛЬНО-МОНТАЖНИХ РОБІТ
Аудит внесків на загальнообов’язкове державне соціальне страхуван...
Задача о двух яйцах
ЗМІСТ ТА ОСНОВНІ ЗАВДАННЯ ФІНАНСОВОЇ ДІЯЛЬНОСТІ СУБ’ЄКТІВ ГОСПОДА...


Категорія: Фізика твердого тіла | Додав: koljan (05.12.2013)
Переглядів: 447 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]

Онлайн замовлення

Заказать диплом курсовую реферат

Інші проекти




Діяльність здійснюється на основі свідоцтва про держреєстрацію ФОП