ДИПЛОМНІ КУРСОВІ РЕФЕРАТИ


ИЦ OSVITA-PLAZA

Реферати статті публікації

Пошук по сайту

 

Пошук по сайту

Головна » Реферати та статті » Фізика » Теоретична фізика у 10 томах

Поверхностное натяжение кристаллов
Поверхностное натяжение анизотропного тела— кристал-
ла— различно для различных его граней; можно сказать, что
оно является функцией от направления грани (т. е. ее индексов
Миллера). Выясним характер этой зависимостиг).
Для упрощения рассуждений будем рассматривать двумер-
ную кристаллическую решетку, изображенную на рис. 77 в виде
квадратной сетки. Роль кристаллических плоскостей играют при
>
а
~~ — — —
1 1
1 1 1
<
Рис. 77
этом прямые, проходящие через узлы решетки.
Пусть «о — поверхностное натяжение для грани, имеющей
индекс @1). Рассмотрим грань, пересекающуюся с первой под
малым углом ср. Она имеет индекс (On) с большим п. Поверх-
ность кристалла, ограниченная этой гранью, имеет вид «сту-
пенек» большой длины и заданной высоты, как это показано
на рис. 77. (Штриховая линия—грань A6).) Для определенно-
сти мы считаем высоту равной периоду решетки а. Тогда на
единицу длины приходится 1/(па) — ступенек. Наличие каждой
ступеньки приводит к появлению некоторой добавочной поверх-
ностной энергии. Обозначим ее буквой /3. При достаточно боль-
шом п ступеньки расположены настолько далеко друг от дру-
га, что их взаимодействием можно пренебречь. Добавочная по
сравнению с ао часть поверхностного натяжения определится
тогда просто произведением /3 на число ступенек, приходящихся
на единицу длины: /3/(па).
Если ввести угол <р, образуемый гранью (In) с гранью @1),
то при достаточно больших п имеем ср ~ 1/п, так что поверх-
ностное натяжение грани (In) можно написать в виде
а = aQ + (/3/а)ср.
При стремлении ср к нулю (т. е. п к бесконечности) отноше-
ние (а — ао)/ср стремится, следовательно, к конечному пределу,
:) Подробнее см.: Ландау Л. Д. О равновесной форме кристаллов.// Сбор-
ник, посвященный семидесятилетию акад. А. Ф. Иоффе.— М.: Изд-во АН
СССР, 1950.-С. 44; Ландау Л. Д.//Собрание трудов.— М.: Наука, 1969.—
Т. 2, статья 70.
594
ПОВЕРХНОСТИ ГЛ. XV
который можно рассматривать как производную
da /3
dip а
Рассмотрим теперь грань с индексами (In), наклоненную к
грани @1) в обратную сторону, т.е. с отрицательным п. По-
1
скольку число ступенек равно теперь те же рассуждения
\п\а
дадут для изменения поверхностного натяжения величину -^—,
\п\а
так что
/5
а = «о (р
а
и производная будет равна
da _ /3
dip a
Таким образом, поверхностное натяжение является весьма
своеобразной функцией направления грани. С одной стороны,
разность значений а для двух кристаллических плоскостей со
сколь угодно близкими направлениями тоже сколь угодно ма-
ла, т. е. поверхностное натяжение может быть представлено в
виде непрерывной функции направления грани. С другой сто-
роны, эта функция имеет при каждом значении ср две различ-
ные производные — в направлении увеличения и в направлении
уменьшения угла ср.
Предположим, что нам известно поверхностное натяжение
как функция направления граней. Возникает вопрос, как с по-
мощью этой функции определить равновесную форму (огранку)
кристалла; подчеркнем, что наблюдаемая в обычных условиях
огранка определяется условиями роста кристалла и отнюдь не
является равновесной. Равновесная форма определяется услови-
ем минимальности свободной энергии F (при заданных Т, N и
объеме V кристалла), или, что то же, условием минимальности
ее поверхностной части. Последняя равна
/
Fs = ф a cfe,
где интеграл берется по всей поверхности кристалла (для изо-
тропного тела а = const, Fs = as и равновесная форма опреде-
ляется просто условием минимальности полной площади s, т. е.
является сферой).
Пусть z = z(x, у) — уравнение поверхности кристалла, и вве-
дем обозначения
_ ch _ ch
Р ~ дх' q ~ ду
§ 155 ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ 595
для производных, определяющих направление поверхности в
каждой ее точке; а может быть выражено в виде их функции
а = a(p,q). Равновесная форма определится условием

Р2 + q2dx dy = min A55.1)
при дополнительном условии
z dx dy = const A55.2)
(постоянство объема). Эта вариационная задача приводит к
дифференциальному уравнению
Ав/ + Ав/=2Л, A55.3)
дхдр dydq ' V J
где введено обозначение
f(p, ?) = «(Р, q) \/1+Р2 + Я2, A55.4)
а А —постоянная.
Далее имеем по определению dz = p dx + q dy; вводя вспомо-
гательную функцию
( = рх + qy — z, A55.5)
имеем для нее d( = x dp + у dq или
х = ~, у = ~, A55.6)
причем ( рассматривается здесь как функция от р и q. Пере-
писав производные по ж и у в A55.3) в виде якобианов, умно-
жив обе части равенства на d(x,y))/d(p,q) и воспользовав-
шись A55.6), получим уравнение
Это уравнение имеет интеграл
/ = Л( = \(px + qy- z),
ИЛИ
Но это есть не что иное, как уравнение огибающей поверхности
семейства плоскостей
рх + qy — z = -a(p, q) y/l + p2 + q2 A55.8)
Л
(где ]9, q играют роль параметров).
596
ПОВЕРХНОСТИ ГЛ. XV
Полученный результат может быть сформулирован в ви-
де следующего геометрического построения. На каждом ра-
диусе-векторе, проведенном из начала координат, откладыва-
ем отрезок, длина которого пропорциональна ct(p, g), где р, q
определяют направление радиуса-вектора1). Через концы от-
резков проводятся перпендикулярные к ним плоскости; огибаю-
щая этих плоскостей и дает равновесную форму кристалла
{Г.В.Вульф).
Можно показать (см. цитированную на с. 593 статью), что
своеобразный характер функции а, описанный в начале пара-
графа, может привести к тому, что определяемая этим правилом
равновесная поверхность кристалла будет содержать плоские
участки, соответствующие кристаллическим плоскостям всех на-
правлений. Величина плоских участков быстро уменьшается с
увеличением индексов Миллера. Практически это означает, что
равновесная поверхность будет состоять из небольшого числа
плоских участков, которые, однако, не пересекаются под угла-
ми, а соединены закругленными участками.

Ви переглядаєте статтю (реферат): «Поверхностное натяжение кристаллов» з дисципліни «Теоретична фізика у 10 томах»

Заказать диплом курсовую реферат
Реферати та публікації на інші теми: ФОРМИ ГРОШЕЙ ТА ЇХ ЕВОЛЮЦІЯ
ВНЕСОК Дж. М. КЕЙНСА У РОЗВИТОК КІЛЬКІСНОЇ ТЕОРІЇ ГРОШЕЙ
Дохідність на акцію
Індекс прибутковості
Технологічний процес кування


Категорія: Теоретична фізика у 10 томах | Додав: koljan (01.12.2013)
Переглядів: 867 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]

Онлайн замовлення

Заказать диплом курсовую реферат

Інші проекти




Діяльність здійснюється на основі свідоцтва про держреєстрацію ФОП